Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FCB199N65S3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2351917Зображення FCB199N65S3AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCB199N65S3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
800+
$1.715
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FCB199N65S3
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
    FCB199N65S3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4.5V @ 1.4mA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK (TO-263)
  • Серія
    SuperFET® III
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    199 mOhm @ 7A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    98W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1225pF @ 400V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    650V
  • Детальний опис
    N-Channel 650V 14A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FCB199N65S3".
FCB2220RJ

FCB2220RJ

Опис: RES 220 OHM 2W 5% RADIAL

Виробники: AMP Connectors / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FCB222RJ

FCB222RJ

Опис: RES 22.0 OHM 2W 5% RADIAL

Виробники: AMP Connectors / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FCB11N60FTM

FCB11N60FTM

Опис: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCB070N65S3

FCB070N65S3

Опис: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCB-405-BZ4

FCB-405-BZ4

Опис: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Виробники: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
В наявності
RFQ
FCB20N60F-F085

FCB20N60F-F085

Опис: MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCB20N60FTM

FCB20N60FTM

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCB20N60-F085

FCB20N60-F085

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCB-405-0621M

FCB-405-0621M

Опис: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Виробники: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
В наявності
RFQ
FCB21K0J

FCB21K0J

Опис: RES 1.00K OHM 2W 5% RADIAL

Виробники: AMP Connectors / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FCB-405-0620M

FCB-405-0620M

Опис: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Виробники: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
В наявності
RFQ
FCB-405-0625M

FCB-405-0625M

Опис: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Виробники: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
В наявності
RFQ
FCB11N60TM

FCB11N60TM

Опис: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCB110N65F

FCB110N65F

Опис: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCB21R0J

FCB21R0J

Опис: RES 1.00 OHM 2W 5% RADIAL

Виробники: AMP Connectors / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FCB2100RJ

FCB2100RJ

Опис: RES 100 OHM 2W 5% RADIAL

Виробники: AMP Connectors / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FCB-405-0622M

FCB-405-0622M

Опис: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FCB210RJ

FCB210RJ

Опис: RES 10 OHM 2W 5% RADIAL

Виробники: AMP Connectors / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FCB20N60TM

FCB20N60TM

Опис: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCB-405-0624M

FCB-405-0624M

Опис: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.