Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > DSK10E-BT
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
99207Зображення DSK10E-BTON Semiconductor

DSK10E-BT

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DSK10E-BT
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напруга - пік реверсу (макс.)
    Standard
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1A
  • Напруга - розбивка
    -
  • Серія
    -
  • Статус RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Зворотний час відновлення (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Опір @ Якщо, Ф.
    -
  • Поляризація
    R-1 (Axial)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер деталі виробника
    DSK10E-BT
  • Розгорнутий опис
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • Конфігурація діодів
    10µA @ 400V
  • Опис
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Поточний - середній випрямлений (Io) (за діод)
    400V
  • Ємність @ Vr, F
    150°C (Max)
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Опис: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Виробники: Panasonic
В наявності
DSK10C

DSK10C

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK10E

DSK10E

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Опис: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Виробники: Elna America
В наявності
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Опис: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Виробники: Elna America
В наявності
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Опис: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Виробники: Elna America
В наявності
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

Опис: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Виробники: Panasonic
В наявності
HFA06TB120STRL

HFA06TB120STRL

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

Опис: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Опис: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Виробники: Elna America
В наявності
S3GB R5G

S3GB R5G

Опис: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
DSK10B

DSK10B

Опис: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Опис: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Опис: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

Виробники: Panasonic
В наявності
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Опис: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Виробники: Elna America
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти