Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > 5LN01C-TB-E
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
408633Зображення 5LN01C-TB-EAMI Semiconductor / ON Semiconductor

5LN01C-TB-E

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    5LN01C-TB-E
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    5LN01C-TB-E.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    -
  • Vgs (Макс)
    ±10V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    3-CP
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    7.8 Ohm @ 50mA, 4V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    250mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    5LN01C-TB-E-ND
    5LN01C-TB-EOSTR
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    6.6pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    1.57nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    50V
  • Детальний опис
    N-Channel 50V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "5LN01C-TB-E".
5LN01M-TL-E

5LN01M-TL-E

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.1A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
5LN01C-TB-EX

5LN01C-TB-EX

Опис: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
5LN01SS-TL-E

5LN01SS-TL-E

Опис: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
5LN01M-TL-H

5LN01M-TL-H

Опис: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
5LN01C-TB-H

5LN01C-TB-H

Опис: MOSFET N-CH 50V 100MA CP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI9410BDY-T1-GE3

SI9410BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
5LN01S-TL-E

5LN01S-TL-E

Опис: MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFR5505TRL

IRFR5505TRL

Опис: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
APT24M120L

APT24M120L

Опис: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
IRLL2705TR

IRLL2705TR

Опис: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RSH125N03TB1

RSH125N03TB1

Опис: MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
R8005ANX

R8005ANX

Опис: MOSFET N-CH 800V 5A TO220

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
GKI03061

GKI03061

Опис: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN

Виробники: Sanken Electric Co., Ltd.
В наявності
RFQ
5LN01SP

5LN01SP

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.1A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
5LN01SP-AC

5LN01SP-AC

Опис: MOSFET N-CH 50V 100MA SPA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD32N06-1G

NTD32N06-1G

Опис: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
5LN01SS-TL-H

5LN01SS-TL-H

Опис: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SPW20N60CFDFKSA1

SPW20N60CFDFKSA1

Опис: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
AOD5T40P_101

AOD5T40P_101

Опис: MOSFET N-CH DPAK

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.