Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > 1N5407G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5706644Зображення 1N5407GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N5407G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.39
10+
$0.295
100+
$0.184
500+
$0.126
1000+
$0.097
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    1N5407G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1N5407G.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1V @ 3A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    800V
  • Пакет пристрою постачальника
    Axial
  • Швидкість
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Інші імена
    1N5407GOS
  • Робоча температура - з'єднання
    -65°C ~ 150°C
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    11 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 800V 3A Through Hole Axial
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    10µA @ 800V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    3A
  • Ємність @ Vr, F
    -
  • Номер базової частини
    1N5407

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "1N5407G".
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5407

1N5407

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Fairchild/ON Semiconductor
В наявності
RFQ
1N5407G-T

1N5407G-T

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5406TA

1N5406TA

Опис: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Виробники: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
В наявності
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N5407

1N5407

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Comchip Technology
В наявності
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Опис: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.