Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Діоди - випрямлячі - одиночні > 1N4006GP
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1148459Зображення 1N4006GPAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4006GP

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    1N4006GP
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1N4006GP.pdf
  • Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ Якщо
    1.1V @ 1A
  • Напруга - Реверс DC (Vr) (Макс)
    800V
  • Пакет пристрою постачальника
    DO-41
  • Швидкість
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Робоча температура - з'єднання
    -55°C ~ 175°C
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип діодів
    Standard
  • Детальний опис
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
  • Поточний - зворотний витік @ Vr
    5µA @ 800V
  • Поточний - середній виправлений (Io)
    1A
  • Ємність @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Номер базової частини
    1N4006

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "1N4006GP".
1N4006G R0G

1N4006G R0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N4006RL

1N4006RL

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
1N4006GPE-M3/54

1N4006GPE-M3/54

Опис: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N4006G R1G

1N4006G R1G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N4006GP-E3/73

1N4006GP-E3/73

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N4006G B0G

1N4006G B0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N4006GPHE3/54

1N4006GPHE3/54

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N4006GP-M3/73

1N4006GP-M3/73

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N4006L-T

1N4006L-T

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
1N4006GPE-M3/73

1N4006GPE-M3/73

Опис: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N4006GP-E3/54

1N4006GP-E3/54

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N4006GPHE3/73

1N4006GPHE3/73

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
1N4006G BK

1N4006G BK

Опис: DIODE GEN PURPOSE DO41

Виробники: Central Semiconductor
В наявності
RFQ
1N4006GP-M3/54

1N4006GP-M3/54

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
1N4006G-T

1N4006G-T

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Опис: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Виробники: TSC (Taiwan Semiconductor)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.