Microwave Technology

Microwave Technology - MicroWave Technology, Inc. є провідним виробником RF & amp; мікрохвильові дискретні напівпровідникові продукти, підсилювачі потужності РФ GaAs та GaN, пристрої низького шуму PHEMT, MMICs, бездротові підсилювачі, гібридні модулі та коннекторні мікрохвильові підсилювачі.
Microwave Technology, Inc. (MwT), розташована в Силіконовій долині Каліфорнії, була заснована в 1982 році технічними директорами, що мають великий досвід у розробці та виготовленні пристроїв Gallium Arsenide (GaAs). З заводу, що займає площу 35000 квадратних метрів, головні активи компанії включають в себе як свою напівпровідникову фазу GaAs, так і гібридне виробництво мікросхем та мікрохвильових інтегральних схем (HMIC). Вертикальне виробництво та міцність продукту забезпечують MwT надзвичайну гнучкість і можливість на ринку мікрохвильових компонентів.
MwT - провідний виробник дизельних діоксів та транзисторів галію арсеніду на основі США (FETs, pHEMTs та діоди Ганна). Рання робота, спрямована на надійність пристроїв, призвела до створення фірмових систем металізації, які роблять пристрої MwT непроникними для забруднення водню, і зараз це викликає велику стурбованість у галузі високої надійності. Ці пристрої використовують фірмову технологію epi та технологію технології ущільнення з квадратом мікрон, що призводить до високолінійного (+48 дБм IP3 в 1 Вт P-1 дБ бездротового підсилювача) та низькочастотного шуму (-125 dBc @ 100 KHz Offset in 17.5 ГГц DRO) з потужністю від 10 мВт до 5 Вт. Ці пристрої, продані як чіпси або пакети, широко використовуються для посилення сигналів від 10 МГц до 40 ГГц при передачі або прийому інформації в системах бездротової інфраструктури, промислових радіочастотних застосувань, а також у різних оборонних та космічних електроніках.
Скориставшись низькими характеристиками імунізації MWT у GaAs FET, компанія користувалася зростаючою репутацією своєї виробничої лінії невеликих внутрішньо відповідних модульних поверхневих підсилювачів передавальних та прийомних модулів, спрямованих на багатошарові та / або цифрову модуляцію (висока лінійність ) бездротова інфраструктура та військові системи зв'язку. Основні програми - це як зовнішні кінці приймача, а також підсилювачі виводу драйверів або picocell на стільниковій, ПКС і WLL базовій станції та військову високу надійність зв'язку. Зверніть увагу, що нові продукти мають надзвичайно низькі вхідні та вихідні втрати, що забезпечують легкість введення вхідних сигналів у висококритичних високочастотних лінійних амплітудних каскадах. MwT пропонує свою високо-надійну перевірену здатність обробки тонких плівок для використання як внутрішнього, так і зовнішнього замовника. Використовуючи тонкі гібридні гібридні мікросхеми, MwT виробляє та продає різні стандартні модульні амплітудні вироби до 26 ГГц. Ці модулі також є елементами будівництва для MwT для проектування та виготовлення стандартних, а також спеціальних коннекторних ампліфікаторів для оборонних і телекомунікаційних додатків.
MwT має багаторічний досвід створення спеціалізованих конструкцій для клієнтів і має величезну бібліотеку замовлених конструкцій на базі пристроїв MwT. MwT використовує як свої стандартні, так і користувацькі версії своїх частин для створення спеціалізованих амплітуд та продуктів на рівні плати. Наш перевірений досвід та репутація допоможуть вам зберегти вартість, час та ресурси в галузі проектування. Прикладами є низькочастотна МШУ, підсилювач бездротової МШУ, інтегровані конструктивні блоки, високочастотні генератори, контрольні щити та контрольно-вимірювальні прилади.